反向传输电容(Crss):14pF,导通电阻(RDS(on)):12.8mΩ@18V,60A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):280nC,栅极电荷量(Qg):280nC,漏源电压(Vdss):1200V,耗散功率(Pd):684W,输入电容(Ciss):3936pF,输出电容(Coss):336pF,连续漏极电流(Id):152A,阈值电压(Vgs(th)):2.8V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 14pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 12.8mΩ@18V,60A | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 280nC | |
栅极电荷量(Qg) | 280nC | |
漏源电压(Vdss) | 1200V | |
耗散功率(Pd) | 684W | |
输入电容(Ciss) | 3936pF | |
输出电容(Coss) | 336pF | |
连续漏极电流(Id) | 152A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥47.07/个 |
10+ | ¥40.61/个 |
30+ | ¥36.67/个 |
90+ | ¥33.37/个 |
92+ | ¥33.37/个 |
94+ | ¥33.37/个 |
整盘
单价
整盘单价¥33.7364
30 PCS/盘
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