反向传输电容(Crss):9.4pF,导通电阻(RDS(on)):62mΩ,栅极电荷量(Qg):55nC,漏源电压(Vdss):750V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):185W,输入电容(Ciss):1136pF,输出电容(Coss):107pF,连续漏极电流(Id):49A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.4pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 62mΩ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 750V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 185W | |
| 输入电容(Ciss) | 1136pF | |
| 输出电容(Coss) | 107pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 49A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥62.25/个 |
| 10+ | ¥60.97/个 |
| 30+ | ¥54.57/个 |
| 90+ | ¥53.72/个 |
| 92+ | ¥53.72/个 |
| 94+ | ¥53.72/个 |
整盘
单价
整盘单价¥50.2044
30 PCS/盘
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