漏源电压(Vdss):1200V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):227W,连续漏极电流(Id):55A
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
漏源电压(Vdss) | 1200V | |
类型 | 1个N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 227W | |
连续漏极电流(Id) | 55A |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥33.56/个 |
10+ | ¥28.47/个 |
30+ | ¥25.44/个 |
90+ | ¥22.38/个 |
510+ | ¥20.97/个 |
990+ | ¥20.33/个 |
整盘
单价
整盘单价¥23.4048
30 PCS/盘
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