反向传输电容(Crss):11.5pF,导通电阻(RDS(on)):59mΩ,栅极电荷量(Qg):128nC,栅极电荷量(Qg):128nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):313W,输入电容(Ciss):2990pF,输出电容(Coss):116pF,连续漏极电流(Id):60A,阈值电压(Vgs(th)):4V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 11.5pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 59mΩ | |
栅极电荷量(Qg) | 128nC | |
栅极电荷量(Qg) | 128nC | |
漏源电压(Vdss) | 1200V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 313W | |
输入电容(Ciss) | 2990pF | |
输出电容(Coss) | 116pF | |
连续漏极电流(Id) | 60A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V |