反向传输电容(Crss):205pF@25V,导通电阻(RDS(on)):9mΩ@10V,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):176W,输入电容(Ciss):4000pF@25V,连续漏极电流(Id):85A,阈值电压(Vgs(th)):3.2V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 205pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 176W | |
| 输入电容(Ciss) | 4000pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.2V |