反向传输电容(Crss):105pF@10V,导通电阻(RDS(on)):120mΩ@4.5V,2.4A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):8.6nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):1.2W,输入电容(Ciss):500pF@10V,连续漏极电流(Id):2.4A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@4.5V,2.4A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.6nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF@10V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.4A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.0948/个 |
| 500+ | ¥0.0754/个 |
| 3000+ | ¥0.0612/个 |
| 6000+ | ¥0.0547/个 |
| 24000+ | ¥0.0491/个 |
| 51000+ | ¥0.0461/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.0563
3000 PCS/盘
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