反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):85mΩ@2.5V,2.5A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):12V,耗散功率(Pd):1.3W,输入电容(Ciss):830pF,连续漏极电流(Id):4.3A,阈值电压(Vgs(th)):0.4V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@2.5V,2.5A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 输入电容(Ciss) | 830pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.4V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.252/个 |
| 100+ | ¥0.201/个 |
| 300+ | ¥0.175/个 |
| 3000+ | ¥0.138/个 |
| 6000+ | ¥0.122/个 |
| 9000+ | ¥0.114/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.138
3000 PCS/盘