反向传输电容(Crss):42.8pF,导通电阻(RDS(on)):27mΩ,导通电阻(RDS(on)):27mΩ@20V,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):164nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):463W,输入电容(Ciss):4700pF,输出电容(Coss):231pF,连续漏极电流(Id):90A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 42.8pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ | |
导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@20V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
栅极电荷量(Qg) | 164nC | |
漏源电压(Vdss) | 1200V | |
类型 | 1个N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 463W | |
输入电容(Ciss) | 4700pF | |
输出电容(Coss) | 231pF | |
连续漏极电流(Id) | 90A | |
配置 | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥51.45/个 |
10+ | ¥44.11/个 |
30+ | ¥39.61/个 |
90+ | ¥35.84/个 |
92+ | ¥35.84/个 |
94+ | ¥35.84/个 |
整盘
单价
整盘单价¥36.4412
30 PCS/盘
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