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MCH6660-TL-W
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- MCH6660-TL-W
- 商品编号
- C139512
- 商品封装
- SOT-363
- 商品毛重
- 0.000027千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):645mΩ@1.8V,100mA,工作温度:-,数量:-,栅极电荷量(Qg):1.8nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):0.8W,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):2A,连续漏极电流(Id):1.5A,阈值电压(Vgs(th)):1.4V@1mA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 645mΩ@1.8V,100mA | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.8nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 0.8W | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V@1mA |
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