温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
PMGD290XN,115
扩展库- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 厂家型号
- PMGD290XN,115
- 商品编号
- C456111
- 商品封装
- SOT-363
- 商品毛重
- 0.000038千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):350mΩ@4.5V,200mA,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):0.72nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):410mW,输入电容(Ciss):34pF@20V,连续漏极电流(Id):860mA,阈值电压(Vgs(th)):1.5V
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 350mΩ@4.5V,200mA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 0.72nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 410mW | |
| 输入电容(Ciss) | 34pF@20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 860mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
数据手册PDF
放大查看预订参考价
0.754 / PCS库存总量
0 PCS电话
顶部
元器件购物车