反向传输电容(Crss):1.5pF@30V,导通电阻(RDS(on)):4.5Ω@10V,170mA,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):1.4nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):265mW,输入电容(Ciss):20pF@30V,连续漏极电流(Id):170mA,阈值电压(Vgs(th)):1.1V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 1.5pF@30V | |
导通电阻(RDS(on)) | 4.5Ω@10V,170mA | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
数量 | 2个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 1.4nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
耗散功率(Pd) | 265mW | |
输入电容(Ciss) | 20pF@30V | |
连续漏极电流(Id) | 170mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |