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SI1926DL-T1-GE3
扩展库- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 厂家型号
- SI1926DL-T1-GE3
- 商品编号
- C727301
- 商品封装
- SOT-363
- 商品毛重
- 0.00003千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):4.2pF@30V,导通电阻(RDS(on)):1.4Ω@10V,340mA,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):1.4nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):0.3W,输入电容(Ciss):18.5pF@30V,连续漏极电流(Id):0.34A,阈值电压(Vgs(th)):1V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.2pF@30V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V,340mA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.4nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 0.3W | |
| 输入电容(Ciss) | 18.5pF@30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 0.34A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
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