导通电阻(RDS(on)):3Ω@4.5V,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,连续漏极电流(Id):0.3A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@4.5V | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
类型 | N沟道 | |
连续漏极电流(Id) | 0.3A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.141/个 |
200+ | ¥0.111/个 |
600+ | ¥0.0946/个 |
2000+ | ¥0.0845/个 |
8000+ | ¥0.0728/个 |
16000+ | ¥0.0681/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.06698
8000 PCS/盘
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