反向传输电容(Crss):44pF,导通电阻(RDS(on)):87mΩ@1.8V,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):6.2nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1.4W,输入电容(Ciss):436pF,输出电容(Coss):66pF,连续漏极电流(Id):4.2A,阈值电压(Vgs(th)):1.4V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 | 
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 44pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 87mΩ@1.8V | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.2nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 输入电容(Ciss) | 436pF | |
| 输出电容(Coss) | 66pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V@250uA | 
| 梯度 | 售价 | 
|---|---|
| 1+ | ¥0.267/个 | 
| 100+ | ¥0.214/个 | 
| 300+ | ¥0.187/个 | 
| 3000+ | ¥0.153/个 | 
| 6000+ | ¥0.137/个 | 
| 9000+ | ¥0.129/个 | 
整盘
单价
整盘单价¥0.14076
3000 PCS/盘
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