反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):0.135Ω@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):6nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):0.8W,输入电容(Ciss):285pF,连续漏极电流(Id):2A,阈值电压(Vgs(th)):1V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.135Ω@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 0.8W | |
| 输入电容(Ciss) | 285pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |