反向传输电容(Crss):86pF,导通电阻(RDS(on)):24mΩ@4.5V,导通电阻(RDS(on)):29mΩ@2.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):4nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):0.84W,输入电容(Ciss):310pF,输出电容(Coss):125pF,连续漏极电流(Id):4A,阈值电压(Vgs(th)):0.7V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 86pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@4.5V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 29mΩ@2.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 0.84W | |
| 输入电容(Ciss) | 310pF | |
| 输出电容(Coss) | 125pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.7V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.173/个 |
| 200+ | ¥0.135/个 |
| 600+ | ¥0.114/个 |
| 3000+ | ¥0.1/个 |
| 9000+ | ¥0.0894/个 |
| 21000+ | ¥0.0835/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.092
3000 PCS/盘
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