反向传输电容(Crss):3.3pF,导通电阻(RDS(on)):25Ω@0V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):3nC@10V~0V,漏源电压(Vdss):150V,耗散功率(Pd):0.5W,输入电容(Ciss):12.8pF,输出电容(Coss):5.4pF,连续漏极电流(Id):0.1A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V@8uA
| 属性 | 参数值 | 其他 | 
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.3pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25Ω@0V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@10V~0V | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 耗散功率(Pd) | 0.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 12.8pF | |
| 输出电容(Coss) | 5.4pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 0.1A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@8uA |