反向传输电容(Crss):2pF,导通电阻(RDS(on)):78mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):21nC,漏源电压(Vdss):1200V,耗散功率(Pd):143W,输入电容(Ciss):700pF,输出电容(Coss):28pF,连续漏极电流(Id):28A,阈值电压(Vgs(th)):4.2V
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 2pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 78mΩ | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
栅极电荷量(Qg) | 21nC | |
漏源电压(Vdss) | 1200V | |
耗散功率(Pd) | 143W | |
输入电容(Ciss) | 700pF | |
输出电容(Coss) | 28pF | |
连续漏极电流(Id) | 28A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V |