温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
BSP716N H6327
扩展库- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 厂家型号
- BSP716N H6327
- 商品编号
- C534579
- 商品封装
- SOT-223
- 商品毛重
- 0.0004千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):29pF@25V,导通电阻(RDS(on)):160mΩ@10V,2.3A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):13.1nC@10V,漏源电压(Vdss):75V,耗散功率(Pd):1.8W,输入电容(Ciss):315pF@25V,连续漏极电流(Id):2.3A,阈值电压(Vgs(th)):1.8V
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V,2.3A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13.1nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W | |
| 输入电容(Ciss) | 315pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
数据手册PDF
放大查看预订参考价
4.8 / PCS库存总量
0 PCS电话
顶部
元器件购物车