反向传输电容(Crss):12pF@30V,导通电阻(RDS(on)):2.2Ω@10V,0.3A,工作温度:-50℃~+150℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):0.35W,输入电容(Ciss):38pF@30V,连续漏极电流(Id):0.3A,阈值电压(Vgs(th)):1.6V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF@30V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2Ω@10V,0.3A | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 0.35W | |
| 输入电容(Ciss) | 38pF@30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 0.3A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |