反向传输电容(Crss):40pF@20V,导通电阻(RDS(on)):80mΩ@10V,3.1A,工作温度:-,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):20nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):1179pF@20V,连续漏极电流(Id):4.2A,阈值电压(Vgs(th)):1V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF@20V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V,3.1A | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1179pF@20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |