反向传输电容(Crss):85pF@10V,导通电阻(RDS(on)):45mΩ@10V,1.5A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):10nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1W,输入电容(Ciss):435pF@10V,输出电容(Coss):110pF,连续漏极电流(Id):3A,阈值电压(Vgs(th)):2.6V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V,1.5A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 输入电容(Ciss) | 435pF@10V | |
| 输出电容(Coss) | 110pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥6.66/个 |
| 10+ | ¥5.43/个 |
| 30+ | ¥4.81/个 |
| 100+ | ¥4.2/个 |
| 500+ | ¥3.83/个 |
| 1000+ | ¥3.65/个 |
整盘
单价
整盘单价¥3.358
3000 PCS/盘
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