反向传输电容(Crss):17pF,导通电阻(RDS(on)):37mΩ@10V,导通电阻(RDS(on)):57mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):6.08nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1W,输入电容(Ciss):234pF,连续漏极电流(Id):3.6A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 37mΩ@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 57mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.08nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 输入电容(Ciss) | 234pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.187/个 |
| 200+ | ¥0.152/个 |
| 600+ | ¥0.133/个 |
| 3000+ | ¥0.11/个 |
| 9000+ | ¥0.0998/个 |
| 21000+ | ¥0.0944/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.1012
3000 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉26.4元