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SI2328DS-T1-GE3
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- SI2328DS-T1-GE3
- 商品编号
- C7420571
- 商品封装
- SOT-23
- 商品毛重
- 0.000054千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):13pF,导通电阻(RDS(on)):0.24Ω@10V,工作温度:-35℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):5.2nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1.25W,输入电容(Ciss):190pF,输出电容(Coss):22pF,连续漏极电流(Id):2A,阈值电压(Vgs(th)):2.8V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.24Ω@10V | |
| 工作温度 | -35℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.2nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 输入电容(Ciss) | 190pF | |
| 输出电容(Coss) | 22pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.206/个 |
| 50+ | ¥0.954/个 |
| 150+ | ¥0.845/个 |
| 500+ | ¥0.71/个 |
| 3000+ | ¥0.613/个 |
| 6000+ | ¥0.577/个 |
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