反向传输电容(Crss):34pF@10V,导通电阻(RDS(on)):22mΩ@4.5V,5A,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):6.23nC@10V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):180pF@10V,输出电容(Coss):37pF,连续漏极电流(Id):-,阈值电压(Vgs(th)):0.45V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 34pF@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V,5A | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.23nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 180pF@10V | |
| 输出电容(Coss) | 37pF | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.45V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.14/个 |
| 200+ | ¥0.11/个 |
| 600+ | ¥0.0934/个 |
| 3000+ | ¥0.0834/个 |
| 9000+ | ¥0.0748/个 |
| 21000+ | ¥0.0702/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.07673
3000 PCS/盘
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