反向传输电容(Crss):6.6pF@50V,工作温度:-40℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):1.5nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):500mW,输入电容(Ciss):39pF@50V,连续漏极电流(Id):200mA,阈值电压(Vgs(th)):1.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.6pF@50V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.5nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 输入电容(Ciss) | 39pF@50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |