反向传输电容(Crss):78pF@15V,导通电阻(RDS(on)):30mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):1.4W,输入电容(Ciss):825pF@15V,连续漏极电流(Id):5.8A,阈值电压(Vgs(th)):0.7V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 78pF@15V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 输入电容(Ciss) | 825pF@15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.7V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.0876/个 |
| 200+ | ¥0.086/个 |
| 600+ | ¥0.0848/个 |
| 3000+ | ¥0.068/个 |
| 3040+ | ¥0.068/个 |
| 3080+ | ¥0.068/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.068
3000 PCS/盘