导通电阻(RDS(on)):2.5Ω@4.5V,栅极电荷量(Qg):3nC@4.5V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):0.35W,连续漏极电流(Id):0.19A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@4.5V | |
栅极电荷量(Qg) | 3nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 0.35W | |
连续漏极电流(Id) | 0.19A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.368/个 |
100+ | ¥0.296/个 |
300+ | ¥0.26/个 |
3000+ | ¥0.209/个 |
6000+ | ¥0.187/个 |
9000+ | ¥0.176/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.19228
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