反向传输电容(Crss):8pF,导通电阻(RDS(on)):3.5Ω@5V,200mA,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):50V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):350mW,输入电容(Ciss):50pF,输出电容(Coss):25pF,连续漏极电流(Id):200mA,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):1.5V@1mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 8pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 3.5Ω@5V,200mA | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 50V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 350mW | |
输入电容(Ciss) | 50pF | |
输出电容(Coss) | 25pF | |
连续漏极电流(Id) | 200mA | |
配置 | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@1mA |